Ao contrário de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada várias vezes, eletricamente. Pode ser lida um número ilimitado de vezes, mas só pode ser apagada e programada um número limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milhão. Esse limite é causado pela continua deterioração interna do chip durante o processo de apagamento que requer uma tensão elétrica mais elevada. Como cada novo dado gravado no chip requer o apagamento do anterior, considera-se apagamento e gravação como uma só operação, porém seria possível gravar o mesmo endereço de memória um bit de cada vez, fazendo então oito gravações com um só prévio apagamento. Entretando a maioria das memórias EEPROM faz o apagamento do conteúdo do enderêço automaticamente antes da gravação. A memória flash é uma variação moderna da EEPROM, mas existe na indústria uma convenção para reservar o termo EEPROM para as memórias de escrita bit a bit, não incluindo as memórias de escrita bloco a bloco, como as memórias flash. As EEPROM necessitam de maior área que as memórias flash, porque cada célula geralmente necessita de um transístor de leitura e outro de escrita, ao passo que as células da memória flash só necessitam de um.
Tecnologias mais novas como FRAM e MRAM estão aos poucos substituindo as EEPROM's em algumas aplicações.
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Sou só curioso na área, portanto fui buscar na Wikipedia alguma coisa a respeito. abs.
EEPROM
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Uma EEPROM (de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) é um chip de armazenamento não-volátil usado em computadores e outros aparelhos.
Ao contrário de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada várias vezes, eletricamente. Pode ser lida um número ilimitado de vezes, mas só pode ser apagada e programada um número limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milhão. Esse limite é causado pela continua deterioração interna do chip durante o processo de apagamento que requer uma tensão elétrica mais elevada. Como cada novo dado gravado no chip requer o apagamento do anterior, considera-se apagamento e gravação como uma só operação, porém seria possível gravar o mesmo endereço de memória um bit de cada vez, fazendo então oito gravações com um só prévio apagamento. Entretando a maioria das memórias EEPROM faz o apagamento do conteúdo do enderêço automaticamente antes da gravação. A memória flash é uma variação moderna da EEPROM, mas existe na indústria uma convenção para reservar o termo EEPROM para as memórias de escrita bit a bit, não incluindo as memórias de escrita bloco a bloco, como as memórias flash. As EEPROM necessitam de maior área que as memórias flash, porque cada célula geralmente necessita de um transístor de leitura e outro de escrita, ao passo que as células da memória flash só necessitam de um.
Tecnologias mais novas como FRAM e MRAM estão aos poucos substituindo as EEPROM's em algumas aplicações.